MJD32CT4 دیتاشیت

MJD32CT4

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD32CT4
حجم فایل 46.322 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت MJD32CT4

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: STMicroelectronics MJD32CT4
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 15W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 10@3A,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.2V@3A,375mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: STMicroelectronics

محصولات مشابه